參數(shù)資料
型號(hào)： IRGIB6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 273K
代理商： IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
R
G
= 100
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 5.0A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1.4mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 5.0A; V
GE
= 15V
0
5
10
15
20
IC (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
EOFF
EON
0
50
100
150
200
RG (
)
0
50
100
150
200
250
E
EON
EOFF
0
5
10
15
20
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
50
100
150
200
RG (
)
1
10
100
1000
S
tR
tF
tdOFF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B120UD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGIB6B60KD116P 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB7B60KD 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGIH50F 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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