參數(shù)資料
型號： IRGB5B120KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 225K
代理商： IRGB5B120KD
IRGB5B120KD
www.irf.com
9
Fig 25.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.024 0.001014
0.378 0.017595
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.045 0.000395
1.214 0.001078
0.540 1.1386
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
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參數(shù)描述
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