參數(shù)資料
型號： IRGB5B120KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： IRGB5B120KD
IRGB5B120KD
www.irf.com
11
Fig.WF2-Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
Fig.WF2-Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Time (uS)
V
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
Eoff Loss
5% Vce
5% Ice
90% Ice
tf
-800
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
200
-0.25
-0.10
0.05
0.20
0.35
time (μs)
V
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
I
Peak
Irr
QRR
trr
10%
Peak
IRR
Fig.WF3-Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
Fig.WF4-Typ. S.C. Waveform
@ T
C
=150°C using Fig. CT3
-200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Time (uS)
V
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
Eon Loss
10% test current
5% VCE
90% test current
TEST CURRENT
tr
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.00
10.00
20.00
Time(uS)
30.00
40.00
50.00
V
0
20
40
60
80
100
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRGBF20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB5B120KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB6B60K 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB
IRGB6B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 13A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:13A, Collecto
IRGB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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