參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4055PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Advanced Trench IGBT Technology
中文描述： 先進(jìn)的溝道IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 629K
代理商： IRGB4055PBF
www.irf.com
3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 1. Typical Output Characteristics @ 25°C
Fig 3. Typical Output Characteristics @ 125°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 4. Typical Output Characteristics @ 150°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VCE (V)
0
50
100
150
200
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
Bottom
Fig 2. Typical Output Characteristics @ 75°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
VC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC = 35A
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 6. V
CE(ON)
vs. Gate Voltage
0
5
10
15
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
IC
TJ = 150°C
TJ = 25°C
10μs PULSE WIDTH
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PDF描述
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IRGB4059DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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