參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4055PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Advanced Trench IGBT Technology
中文描述： 先進(jìn)的溝道IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 629K
代理商： IRGB4055PBF
2
www.irf.com
Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1μsec.
R
θ
is measured at
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Β
V
CES
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min.
300
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
Typ. Max. Units
–––
–––
0.23
–––
1.10
1.30
1.70
2.10
2.35
–––
1.95
–––
–––
5.0
-11
–––
2.0
25
100
–––
–––
100
–––
-100
38
–––
132
–––
42
–––
–––
–––
V
V/°C
V
V
V
V
V
mV/°C
μA
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
I
CES
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Collector-to-Emitter Leakage Current
I
GES
Gate-to-Emitter Forward Leakage
Gate-to-Emitter Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Collector Charge
Shoot Through Blocking Time
nA
g
fe
Q
g
Q
gc
t
st
S
nC
ns
E
PULSE
Energy per Pulse
μJ
C
iss
C
oss
C
rss
L
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Internal Collector Inductance
–––
–––
–––
–––
4280
200
125
5.0
–––
–––
–––
–––
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
E
Internal Emitter Inductance
–––
13
–––
Static Collector-to-Emitter Voltage
V
CE(on)
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 1mA
–––
705
–––
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V, T
J
= 150°C
V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
–––
915
–––
V
CE
= 25V, I
CE
= 35A
V
CE
= 200V, I
C
= 35A, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V, R
G
= 5.1
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 25°C
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 100°C
V
GE
= 0V
= 1.0MHz, See Fig.13
Conditions
V
GE
= 0V, I
CE
= 1 mA
Reference to 25°C, I
CE
= 1mA
V
GE
= 15V, I
CE
= 35A
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A
V
GE
= 15V, I
CE
= 200A
V
CE
= 30V
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PDF描述
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