參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB15B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大?。?/td> 322K
代理商： IRGB15B60KD
IRG/B/S/SL15B60KD
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 22
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
R
G
= 22
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 600V
I
CE
= 15A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L=200μH; V
CE
= 400V
I
CE
= 15A; V
GE
= 15V
0
10
20
30
40
50
IC (A)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
E
EOFF
EON
0
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20
30
40
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IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
50
100
150
RG (
)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
E
EON
EOFF
0
50
100
150
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tF
tdOFF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB20B60PD1 SMPS IGBT
IRGB30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB15B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB20B60PD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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