參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB15B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大?。?/td> 322K
代理商： IRGB15B60KD
IRG/B/S/SL15B60KD
2
www.irf.com
Parameter
V
(BR)CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
V
CE(on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.3
1.5
1.80
–––
2.05
–––
2.10
3.5
4.5
-10
–––
10.6
–––
5.0
–––
500 1000
–––
1.20
–––
1.20
–––
––– ±100
Conditions
–––
–––
2.20
2.50
2.60
5.5
––– mV/°C
–––
150
V
V
GE
= 0V, I
C
= 500μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA, (25°C-150°C)
I
C
= 15A, V
GE
= 15V
I
C
= 15A, V
GE
= 15V T
J
= 125°C
I
C
= 15A, V
GE
= 15V T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0mA, (25°C-150°C)
V
CE
= 50V, I
C
= 20A, PW=80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
I
C
= 15A
I
C
= 15A T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
V/°C
V
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
g
fe
I
CES
Gate Threshold Voltage
Temperature Coeff. of Threshold Voltage –––
Forward Transconductance
Zero Gate Voltage Collector Current
V
S
μA
V
FM
Diode Forward Voltage Drop
1.45
1.45
V
nA
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Ref.Fig.
5, 6,7
9, 10,11
12
9, 10,11
Parameter
Qg
Total Gate Charge (turn-on)
Qge
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Qgc
Gate - Collector Charge (turn-on)
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
tot
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
tot
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
Min. Typ. Max. Units
–––
56
–––
7.0
–––
26
–––
220
–––
340
–––
560
–––
34
–––
16
–––
184
–––
20
–––
355
–––
490
–––
835
–––
34
–––
18
–––
203
–––
28
–––
850
–––
75
–––
35
Conditions
84
10
39
330
455
785
44
22
200
26
470
600
1070
44
25
226
36
–––
–––
–––
I
C
= 15A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 15A, V
CC
= 400V
V
GE
= 15V,R
G
= 22
,
L = 200μH
Ls = 150nH
I
C
= 15A, V
CC
= 400V
V
GE
= 15V, R
G
= 22
,
L = 200μH
Ls = 150nH, T
J
= 25°C
nC
μJ
T
J
= 25°C
ns
I
C
= 15A, V
CC
= 400V
V
GE
= 15V,R
G
= 22
,
L = 200μH
Ls = 150nH
I
C
= 15A, V
CC
= 400V
V
GE
= 15V, R
G
= 22
,
L = 200μH
Ls = 150nH, T
J
= 150°C
μJ
T
J
= 150°C
ns
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
f = 1.0MHz
T
J
= 150°C, I
C
= 62A, Vp =600V
V
CC
= 500V, V
GE
= +15V to 0V,
T
J
= 150°C, Vp =600V,R
G
= 22
V
CC
= 360V, V
GE
= +15V to 0V
T
J
= 150°C
V
CC
= 400V, I
F
= 15A, L = 200μH
V
GE
= 15V,R
G
= 22
,
Ls = 150nH
pF
μs
Erec
t
rr
I
rr
Reverse Recovery energy of the diode
Diode Reverse Recovery time
Diode Peak Reverse Recovery Current
–––
–––
–––
540
92
29
720
111
33
μJ
ns
A
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
RBSOA
Reverse Bias Safe Operting Area
FULL SQUARE
SCSOA
Short Circuit Safe Operting Area
10
–––
–––
Ref.Fig.
CT1
CT4
CT4
13,15
WF1WF2
14, 16
CT4
WF1
WF2
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
20,21
CT4,WF3
CT4
R
G
= 22
Note
to
are on page 15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB20B60PD1 SMPS IGBT
IRGB30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB15B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB20B60PD1 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*