參數(shù)資料
型號: IRG4PC50UDPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 697K
代理商: IRG4PC50UDPBF
IRG4PC50UDPbF
www.irf.com
9
Vg
GATE SIG NAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test
Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
480V
4 X I
C
@25°C
0 - 480V
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC50UHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 55A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRG4PC50UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50W-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 55000.000A TO-247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube