參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC50UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 697K
代理商： IRG4PC50UDPBF
IRG4PC50UDPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
1000
0
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
A
V = 15V
20μs PULSE W IDTH
1
10
100
1000
4
6
8
10
12
C
I
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 10V
5μs PULSE W IDTH
0
10
20
30
40
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Duty cycle: 50%
TJ
Tsink
Gate drive as specified
Turn-on losses include
effects of reverse recovery
Power Dissipation = 40W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PC50W 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50W-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 55000.000A TO-247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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