參數(shù)資料
型號： IRG4PC50K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.84V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 30A條）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IRG4PC50K
IRG4PC50K
www.irf.com
5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
60
I = A
30
I = A
15
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
res
C
oes
C
ies
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 30A
CC
C
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 30A
5.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A
IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
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