參數(shù)資料
型號： IRG4PC50K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.84V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 30A條）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： IRG4PC50K
IRG4PC50K
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0
10
20
30
40
50
60
70
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power D issipation = 40W
Triangular wave:
C lamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
IRG4PC50KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A
IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
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