參數(shù)資料
型號： IRG4PC50F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.45伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 39A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRG4PC50F
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
T
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
R = 5.0
T = 150
°
C
V = 480V
V = 15V
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
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IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
IRG4PC50FD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50FD-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50F-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 70.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCRE
IRG4PC50F-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast IGBT GEN 4 1 to 5kHz 1.45V 39A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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