參數資料
型號: IRG4PC50F
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 1.45伏,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 39A條)
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代理商: IRG4PC50F
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 40W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1000
0.1
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
T = 25
°
C
V = 15V
20μs PULSE W IDTH
A
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 50V
5μs PULSE W IDTH
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC50K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
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IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4PC60F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數描述
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IRG4PC50FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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