參數(shù)資料
型號： IRG4MC50U
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-254AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 35A條一（c）|至254AA
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 141K
代理商： IRG4MC50U
4
www.irf.com
IRG4MC30F
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
5
10
15
20
25
30
M
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (
°
C)
1.0
1.5
2.0
2.5
V
IC = 30A
VGE = 15V
80μs PULSE WIDTH
IC = 15A
IC = 7.5A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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