參數資料
型號： IRG4IBC30FD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數： 7/10頁
文件大小： 223K
代理商： IRG4IBC30FD
IRG4IBC30FD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
0
200
400
600
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
10
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 12A
I = 24A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
40
80
120
160
100
1000
dif
t
r
I = 24A
I = 12A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
相關PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30KD GT 19C 19#16 SKT RECP
irg4ibc30w INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
IRG4IBC30FD-103 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 31.000A FULLCOPAK 220 / IGBT : JA /
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IRG4IBC30KD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30S 功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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