參數(shù)資料
型號： IRG4IBC30FD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 223K
代理商： IRG4IBC30FD
IRG4IBC30FD
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
T
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
I = 8.5A
C
I = 17A
I = 34A
R = 23
V = 15V
V = 480V
CC
T
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
0
20
40
60
)
80
A
R , Gate Resistance (
V = 480V
V = 15V
T = 25°C
I = 17A
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
C
ies
C
res
C
oes
V
GE
= 0V f = 1 MHz
Cies = Cge + Cgc + Cce SHORTED
Cres = Cce
Coes = Cce + Cgc
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 17A
CE
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PDF描述
IRG4IBC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30KD GT 19C 19#16 SKT RECP
irg4ibc30w INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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IRG4IBC30S 功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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