參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC20KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 10/10頁(yè)
文件大?。?/td> 288K
代理商： IRG4IBC20KDPBF
IRG4IBC20KDPbF
10
www.irf.com
Notes:
Repetitive rating: V
GE
=20V; pulse width limited by maximum junction temperature
(figure 20)
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
=20V, L=10μH, R
G
= 50
(figure 19)
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
0.1%.
Pulse width 5.0μs, single shot.
TO-220 Full-Pak Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-220 Full-Pak Part Marking Information
WITH ASSEMBLY
LOT C ODE 3432
ASSEM BLED ON WW 24 1999
IN TH E ASSEMB LY LIN E "K"
EXAMPLE:
TH IS IS AN IRFI840G
PART N U M BER
LOT C ODE
ASSEM BLY
IN TERN ATIONAL
RECTIFIER
LOGO
34 32
924K
IRFI840G
DATE C ODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 24
LIN E K
"P" in assembly line
Note:
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
12/03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC20UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 FULLPAK
IRG4IBC20UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC20W 功能描述:IGBT WARP 600V 11.8A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC20W_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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