參數(shù)資料
型號： IRG4BC20FD-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管IGBT的快速CoPack
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 303K
代理商： IRG4BC20FD-SPBF
10
www.irf.com
F530S
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 02
P = DESIGNATES LEAD-FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 0 = 2000
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
LOT CODE
ASSEMBLY
DATE CODE
PART NUMBER
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20MD-SPBF 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
IRG4BC40W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4BH20K-L INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4BH20K-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC20FD-STRL 功能描述:IGBT FAST 600V 16A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDSTRLP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRG4BC20FD-STRR 功能描述:IGBT FAST 600V 16A RIGHT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC20FDSTRRP 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 16A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRG4BC20FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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