參數(shù)資料
型號： IRFU9110
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： IRFU9110
4-79
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
P
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-1.5
-3.5
-0.5
0
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-2.0
-3.0
-2.5
-1.0
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
10
0.1
1
Z
θ
J
,
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
SINGLE PULSE
T
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
-20
-10
-1
-0.1-1
-10
-100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
100
μ
s
10ms
100ms
DC
1ms
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
V
DSS
MAX = -100V
T
C
= 25
o
C, T
J
= MAX RATED
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-10
-30
t, PULSE WIDTH (s)
I
D
,
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
-1
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
FOR TEMPERATURES ABOVE 25
o
C
DERATE PEAK CURRENT
CAPABILITY AS FOLLOWS:
I
I25
150
-------125
T
C
–
=
IRFR9110, IRFU9110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9220 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFU9220 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFR9220 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9110PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9111 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-251
IRFU9120 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120_R4941 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*