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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU3411PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | IRFU3411PBF |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
tp
V
(BR)DSS
I
AS
!"
#$
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
6.5A
11.3A
16A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412 | SMPS MOSFET |
| IRFU3412 | SMPS MOSFET |
| IRFR3418 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3505 | AUTOMOTIVE MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU3412 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3412PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3418 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3504 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
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