參數(shù)資料
型號(hào)： IRFRU9310
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為400V，的Rds（on）\u003d 7.0ohm，身份證\u003d- 1.8A）
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 116K
代理商： IRFRU9310
IRFR/U9310
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFU9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
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IRFSL31N20DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )
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參數(shù)描述
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