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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRU9310 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為400V，的Rds（on）\u003d 7.0ohm，身份證\u003d- 1.8A） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | IRFRU9310 |
IRFR/U9310
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
100
200
300
400
500
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
-1.1A
V
=-80V
DS
V
=-200V
DS
V
=-320V
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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