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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFRU5505 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | IRFRU5505 |
IRFR/U5505
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-9.6A
V
=-28V
DS
V
=-44V
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU5505 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFR5505 | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFRU6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFU6215 | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFRU6215 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFRU9024N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
| IRFRU9120N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
| IRFRU9214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A) |
| IRFRU9310 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
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