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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRU3910 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的時，RDS \u003d 0.115ohm，身份證\u003d 16A條） |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | IRFRU3910 |
IRFR/U3910
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3910 | RECT SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3 |
| IRFU3910 | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 5A 60V 100A-Ifsm 0.66Vf 0.2A-IR POWERMITE-3 5K/REEL |
| IRFRU5505 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFU5505 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFR5505 | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFRU4105 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A) |
| IRFRU5305 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A) |
| IRFRU5410 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
| IRFRU5505 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A) |
| IRFRU6215 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
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