參數(shù)資料
型號： IRFR3412
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IRFR3412
8
www.irf.com
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
34
12
IRFU120
916A
LOT CODE
ASSEMBLY
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
PART NUMBER
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRFR3412PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3412TRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3412TRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3412TRR 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Switch Mode Power Supply (SMPS)
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