參數(shù)資料
型號： IRFR120
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： IRFR120
4-381
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
1000
800
600
400
200
0
1
2
5
10
2
5
100
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
RSS
C
OSS
C
ISS
5
4
3
2
1
00
3
6
9
12
15
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
0
0.4
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
3
6
9
12
15
I
D
= 8.4A
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
IRFR120, IRFU120
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PDF描述
IRFR120TR HEXFET POWER MOSFET
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