參數(shù)資料
型號(hào)： IRFPC42
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5.9AI（四）|對(duì)247AC
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： IRFPC42
4
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1
10
100
C
VDS
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
30
60
90
120
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V
G
I = 16A
V = 360V
V = 240V
V = 120V
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25
°
C
T = 150
°
C
Single Pulse
10μs
100μs
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPE32 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
IRFPE42 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC
IRFPE52 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-247AC
IRFPF20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-247AC
IRFPF22 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPC42R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247
IRFPC48 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFPC50 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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