參數(shù)資料
型號(hào)： IRFPC42
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5.9AI（四）|對(duì)247AC
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： IRFPC42
2
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 16A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
650
6.0
1.8
980
9.0
V
ns
μC
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25
°
C, L = 7.2mH
R
G
= 25
, I
AS
= 16A. (See Figure 12)
I
SD
≤
16A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150
°
C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.63
–––
–––
2.0
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
–––
57
–––
43
–––
38
Conditions
V
GS
= 0V, ID = 250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 9.6A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 16A
V
DS
= 360V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 300V
I
D
= 16A
R
G
= 4.3
R
D
= 18
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.40
4.0
–––
25
250
100
-100
120
29
48
–––
–––
–––
–––
V
V/
°
C
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
3500
–––
–––
400
–––
39
–––
–––
pF
–––
–––
64
–––
–––
16
A
nH
L
D
Internal Drain Inductance
–––
5.0
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
13
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
ns
μA
nA
S
D
G
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPE32 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC
IRFPE42 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC
IRFPE52 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-247AC
IRFPF20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-247AC
IRFPF22 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPC42R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247
IRFPC48 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFPC50 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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