參數(shù)資料
型號： IRFP460N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.24ohm, Id=20A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.24ohm，身份證\u003d 20A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFP460N
IRFP460N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
140
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
20A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TA = 25
°
C
TJ = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP460P Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
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參數(shù)描述
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IRFP460PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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