參數(shù)資料
型號： IRFP460A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.27ohm，身份證\u003d 20A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFP460A
IRFP460A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
540
560
580
600
620
0
4
8
12
16
20
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
400
800
1200
1600
2000
2400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
8.9A
13A
20A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFP460N Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.24ohm, Id=20A)
IRFP460P Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460 N-Channel Enhancement Mode MegaMOS Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.27Ω的N溝道增強型MegaMOS功率MOSFET)
IRFP4710 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
IRFPE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFP460APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP460APBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFP460AS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460B 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET
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