參數(shù)資料
型號： IRFP17N50L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）典型.\u003d 0.28ohm，身份證\u003d 16A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFP17N50L
IRFP17N50L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
30
Q , Total Gate Charge (nC)
60
90
120
150
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
16A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.6
0.9
1.3
1.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 °
= 25°
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFP21N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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