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參數(shù)資料
| 型號： | IRFF110 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET(3.5A, 100V, 0.600 Ohm，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 3.5 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | IRFF110 |
5
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
500
100
0
10
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
C
300
400
200
C
ISS
C
OSS
C
RSS
30
40
50
1
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
1.6
3.2
4.8
6.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
8.0
125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
> I
D(ON)
x r
DS(ON)MAX
80
μ
s PULSE TEST
0
0.4
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.8
0.2
0.1
1.0
10
I
S
,
150
o
C
1.0
1.4
1.6
1.8
1.2
2.0
25
o
C
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
0
2
4
6
8
5
10
15
10
V
DS
= 20V
V
DS
= 50V
20
V
DS
= 80V
I
D
= 3.5A
IRFF110
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFF120 | 6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET(6.0A, 100V , 0.300 Ohm, N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFF120 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
| IRFF130 | 8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET(8.0A, 100V, 0.180 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管) |
| IRFF210 | 2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFF210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFF110R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRFF111 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFF111R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRFF112 | 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:Power MOS Field-Effect Transistors |
| IRFF112R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
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