參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB61N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFB61N15D
IRFB61N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
15A
26A
37A
TOP
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
GS
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PDF描述
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