參數(shù)資料
型號： IRFB61N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRFB61N15D
IRFB61N15D
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
22
–––
–––
95 140 I
D
= 37A
–––
26
39
–––
45
68
–––
18
–––
–––
110
–––
–––
28
–––
–––
51
–––
–––
3470 –––
–––
690
–––
–––
150
–––
–––
4600 –––
–––
310
–––
–––
580
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 37A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 37A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
520
37
33
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 37A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 37A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
––– 1340 2010
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
180
1.3
270
V
ns
nC
Diode Characteristics
60
250
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.18 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
––– 0.032
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRFB7434GPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 195A, 1.6 MOHM, 216 NC QG, TO-220AB - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 40V 195A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / MOSFET, 40V, 195A, 1.6 mOhm, 216 nC Qg, TO-220AB
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