參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB16N50K
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 169K
代理商： IRFB16N50K
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 2.2mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 17A.
I
SD
≤
17A, di/dt
≤
340A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
J
≤
150°C.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
500
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.58
–––
285
350
–––
5.0
–––
50
–––
250
–––
100
–––
-100
Conditions
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
m
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
nA
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Min.
5.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
60
89
18
27
28
43
20
–––
77
–––
38
–––
30
–––
2210
–––
240
–––
26
–––
2620
–––
63
–––
120
–––
Conditions
S
V
DS
= 50V, I
D
= 10A
I
D
= 17A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V
V
DD
= 250V
I
D
= 17A
R
G
= 8.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
nC
ns
pF
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units Conditions
–––
17
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 17A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 17A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
68
A
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
490
5710
1.5
730
8560
V
ns
nC
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PDF描述
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IRFB17N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V 16A TO-220
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