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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9910 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box |
| 中文描述： | 雙SO - 8的POL轉(zhuǎn)換器MOSFET的臺式機(jī)，服務(wù)器，圖形卡，游戲機(jī)和機(jī)頂盒 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | IRF9910 |
www.irf.com
9
SO-8 Package Details
Dimensions are shown in millimeters (inches)
SO-8 Part Marking
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9952 | Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
| IRF9953 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm) |
| IRF9Z14S | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
| IRF9Z14 | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
| IRF9Z24L | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC |
| IRF9910PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9910PBF_08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge |
| IRF9910TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF9910TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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