參數(shù)資料
型號： IRF9910
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
中文描述： 雙SO - 8的POL轉(zhuǎn)換器MOSFET的臺式機，服務(wù)器，圖形卡，游戲機和機頂盒
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 279K
代理商： IRF9910
6
www.irf.com
Fig 19.
Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 21.
Threshold Voltage vs. Temperature
Q1 - Control FET
Q2 - Synchronous FET
Typical Characteristics
Fig 20.
Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 22.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 23.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 24.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
ID
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
EA
ID
TOP
BOTTOM
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TJ , Temperature ( °C )
1.0
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