參數(shù)資料
型號： IRF9620
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP CERAMIC 4PF 50V C0G 0402
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為200V，的Rds（on）\u003d 1.5ohm，身份證\u003d- 3.5A的）
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： IRF9620
4-25
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
0.95
0.85
0.75
-40
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
N
B
80
120
160
1.05
1.15
I
D
= 250
μ
A
500
100
0
0
20
50
C
300
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
400
200
C
ISS
C
OSS
C
RSS
10
30
40
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-1
-2
-3
-4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
-5
T
J
= 25
o
C
0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-0.8
-1.4
-0.1
-1.0
-10
I
S
,
-100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
-5
-10
0
4
8
12
16
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= -3.5A
20
V
DS
= -100V
V
DS
= -60V
V
DS
= -40V
IRF9620
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9630S CAP 4.7PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7 SN100 HIGH-FREQ
IRF9630 CAP 4.3PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9630 CAP 4.7PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9640S CAP 5.6PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9640 CAP CERAMIC 5PF 50V C0G 0402
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9620_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9620L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9620PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9620S 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9620SPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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