參數(shù)資料
型號： IRF9620
廠商： International Rectifier
英文描述： CAP CERAMIC 4PF 50V C0G 0402
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為200V，的Rds（on）\u003d 1.5ohm，身份證\u003d- 3.5A的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
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代理商： IRF9620
4-23
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Continuous Source to Drain Current
I
SD
I
SDM
Modified MOSFET Sym-
bol Showing the Integral
Reverse
P-N Junction Diode
-
-
-3.5
A
Pulse Source to Drain Current
(Note 3)
-
-
-14
A
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
V
SD
t
rr
Q
RR
T
C
= 25
o
C, I
SD
= -3.5A, V
GS
= 0V (Figure 13)
T
J
= 150
o
C, I
SD
= -3.5A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
T
J
= 150
o
C, I
SD
= -3.5A, dI
SD
/dt = 100A/
μ
s
-
-
-1.5
V
Reverse Recovery Time
-
300
-
ns
Reverse Recovery Charge
-
1.9
-
μ
C
NOTES:
2. Pulse test: pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
3. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance curve (Figure 3).
4. V
DD
= 50V, starting T
J
= 25
o
C, L = 35.5mH, R
G
= 25
,
peak I
AS
= 3.5A (Figures 15, 16).
G
D
S
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
0
50
100
150
0
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
150
25
75
125
-5
-4
-3
-2
-1
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
10
-3
10
-2
1
10
-5
10
-4
0.01
0.1
SINGLE PULSE
P
DM
10
10
-1
1
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
0.2
0.5
0.05
IRF9620
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PDF描述
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IRF9630 CAP 4.7PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9640S CAP 5.6PF 50V +/-0.25PF C0G SMD-0402 TR-7-PA SN100 HIGH-FREQ
IRF9640 CAP CERAMIC 5PF 50V C0G 0402
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參數(shù)描述
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