- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381955 > IRF9530NSTRR (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF9530NSTRR |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.20ohm，身份證\u003d- 14A條） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 378K |
| 代理商： | IRF9530NSTRR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9530 | TRANSISTORS |
| IRF9530NL | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| IRF9530NS | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) |
| IRFBC30 | N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET |
| IRFBC30 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9530NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530PBF | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530S | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9530SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。