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參數資料
| 型號： | IRF9522 |
| 廠商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| 中文描述： | P通道增強型立式DMOS功率場效應管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | IRF9522 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFD120 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFD120 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27ohm, Id=1.3A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9523 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9530 | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530-220M | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9530L | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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