參數(shù)資料
型號(hào)： IRF843FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 4A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
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代理商： IRF843FI
IRF840AS/L
www.irf.com
9
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF840 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF840 N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF840 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF840 8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF840PBF HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF843R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
IRF8513PBF 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8513TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707GPBF 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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