參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7807V
廠商： International Rectifier
英文描述： N Channel Application Specific MOSFET
中文描述： ?頻道專用MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 159K
代理商： IRF7807V
IRF7807V
2
www.irf.com
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Diode Forward
Voltage*
V
SD
1.2
V
I
S
= 7.0A
, V
GS
= 0V
Reverse Recovery
Charge
Q
rr
64
nC
di/dt
~
700A/μs
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, I
S
= 7.0A
di/dt = 700A/μs
(with 10BQ040)
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, I
S
= 7.0A
Reverse Recovery
Charge (with Parallel
Schottky)
Q
rr(s)
41
nC
Parameter
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
Min
30
Typ
–
Max
–
Units
V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
BV
DSS
Static Drain-Source
on Resistance
Gate Threshold Voltage
R
DS
(on)
17
25
m
V
GS
= 4.5V, I
D
= 7.0A
V
GS(th)
I
DSS
1.0
V
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0,
Tj = 100°C
V
GS
= ±20V
Drain-Source Leakage
20
100
μA
Gate-Source Leakage
Current*
Total Gate Charge*
I
GSS
±100
nA
Q
G
Q
GS1
9.5
14
V
GS
=5V, I
D
=7.0A
Pre-Vth
Gate-Source Charge
2.3
V
DS
= 16V
nC
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Q
GS2
1.0
Q
GD
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d (on)
2.4
Switch Chg(Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge*
3.4
12
5.2
16.8
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
2.0
6.3
V
DD
= 16V, I
D
= 7.0A
ns V
GS
= 5V, R
G
=
2
Resistive Load
Rise Time
t
r
t
d
(off)
t
f
1.2
Turn-off Delay Time
11
Fall Time
2.2
Electrical Characteristics
Source-Drain Rating & Characteristics
Current
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400 μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board
Typ = measured - Q
oss
Typical values of R
(on) measured at V
GS
= 4.5V, Q
G
, Q
SW
and Q
OSS
measured at V
= 5.0V, I
= 7.0A.
* Device are 100% tested to these parameters.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7809AV N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7809A Chipset for DC-DC Converters
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IRF7811AV N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRF7811W Power MOSFET for DC-DC Converters
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7807VD1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7807VD1PBF 功能描述:MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807VD1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7807VD1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807VD2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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