參數資料
型號: IRF7707
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-20V)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 20V的)
文件頁數: 2/8頁
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代理商: IRF7707
IRF7707
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.5A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
142
147
-1.2
213
221
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
-28
-1.5
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-20
–––
––– 0.012 –––
–––
14.3
–––
18.9
-0.45 –––
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
31
–––
6.4
–––
10
–––
11
–––
54
–––
134
–––
138
––– 2361
–––
512
–––
323
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -7.0A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -6.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -7.0A
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -12V
V
GS
= 12V
I
D
= -7.0A
V
DS
= -16V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0MHz
V/°C
22
33
-1.2
–––
-1.0
-25
-100
100
47
–––
–––
17
81
201
207
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
300μs; duty cycle
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t
<
10sec.
S
D
G
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