參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7701
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-12V)
中文描述： 功率MOSFET（12V的減振鋼板基本\u003d-）
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 147K
代理商： IRF7701
IRF7701
www.irf.com
5
Fig 10.
Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
DS
V
GS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7702 Power MOSFET(Vdss=-12V)
IRF7703 Power MOSFET(Vdss=-40V)
IRF7704 Power MOSFET(Vdss=-40V)
IRF7705 Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF7706 Power MOSFET(Vdss=-30V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7701GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7701HR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -10A, 11 MOHM, 69 NC QG, TSSOP-8 - Rail/Tube
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