參數(shù)資料
型號： IRF7506
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的Rds（on）\u003d 0.27ohm）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 103K
代理商： IRF7506
IRF7506
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7507PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7507 Power MOSFET(Vdss=+-20V)
IRF7700 Power MOSFET(Vdss=-20V)
IRF7701 Power MOSFET(Vdss=-12V)
IRF7702 Power MOSFET(Vdss=-12V)
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參數(shù)描述
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