參數(shù)資料
型號： IRF7504
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 20V的，的Rds（on）\u003d 0.27ohm）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRF7504
IRF7504
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
Fig 12.
For P-Channel HEXFETS
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
*
V
GS
*
**
[ ]
[ ]
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
[ ] ***
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7504TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7504TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 1.7A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7506PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 1.7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube
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