參數(shù)資料
型號： IRF7491
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 516K
代理商： IRF7491
IRF7491
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
60
120
180
240
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
2.6A
4.7A
5.8A
TOP
BOTTOM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID , Drain Current (A)
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
RD
)
VGS = 10V
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
RD
)
ID = 9.7A
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