參數(shù)資料
型號： IRF7491
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 516K
代理商： IRF7491
IRF7491
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
80
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.08
–––
14
16
–––
5.5
–––
1.0
–––
250
–––
100
–––
-100
V
V/°C
m
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Min.
9.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
51
76
18
–––
18
–––
22
–––
19
–––
32
–––
10
–––
2940
–––
290
–––
160
–––
980
–––
210
–––
310
–––
S
nC
ns
pF
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
dh
Avalanche Current
c
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
9.7
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
77
(Body Diode)
ch
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
47
110
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
Typ.
–––
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 5.8A
I
D
= 5.8A
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V
f
V
DD
= 40V
I
D
= 5.8A
R
G
= 6.2
Conditions
V
GS
= 10V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
e
130
5.8
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 5.8A, V
GS
= 0V
f
T
J
= 25°C, I
F
= 5.8A, V
DD
= 25V
di/dt = 100A/μs
f
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.8A
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Max.
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PDF描述
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