參數(shù)資料
型號： IRF7478QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 224K
代理商： IRF7478QPBF
IRF7478QPbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
2.7V
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
7.0A
2.5
3.0
3.5
4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7484PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7493PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7501 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7503 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
IRF7504 Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7478QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7478TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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